تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا
واتساپ:09141077352 همراه: 09141077352 ثابت: 35250068-041 سفارش سمینار و مقاله سفارش ترجمه تخصصی
 

دانلود فایل با شمار فاکتور

لطفا شماره فاکتور خود را درج نمایید


جدیدترین لغات واژه‌نامه

آمار بازدیدکنندگان

بازدید امروز :14
بازدید روز گذشته :92
بازدید این هفته :325
بازدید این ماه :2600
مجموع آمار بازدید ها :783753

عنوان محصول: تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا

دسته‌بندی: مقالات ترجمه شده رشته الکترونیک
تاریخ انتشار: جمعه 14 آبان 1395
تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا
توضیحات مختصر:

آشکارسازی نشت الکتریکی در تجهیزات نمیه رساناها، نشان دهنده وجود مسیر های الکتریکی بین پیوندگاه P- دوپه شده و N- دوپه شده سیلیکونی است. به شرطی که هیچ ناهنجاری فیزکی دیگری مشاهده نشود. این مقاله استفاده از ابزارهای تحلیل خطا برای شناسایی دقیق و به تصویر کشیدن خطاهای کریستالی در سیلیکون، که به علت...

تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا


قیمت قیمت : 23000 تومان
تخفیف تخفیف: 1000 تومان
تخفیف تخفیف ویژه : 10 درصد
قیمت نهایی قیمت نهایی: 19700 تومان
573 بازدید
کد مقاله: TTC- 3086
نوع فایل : docx
لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از خرید موفق فعال خواهد شد.
Journal: IEEE

Visualization of Crystalline Defects in Silicon, a Cause of Electrical Leakage in Semiconductor Devices
Abstract

Detection of electrical leakage in semiconductor devices indicates presence of electrical paths between junctions of p-doped and n-doped silicon, if no other physical abnormality is observed. This paper describes the use of advanced failure analysis tools to precisely locate and visualize crystalline defects in silicon that have caused electrical failure.


چکیده

آشکارسازی نشت الکتریکی در تجهیزات نمیه رساناها، نشان دهنده وجود مسیر های الکتریکی بین پیوندگاه P- دوپه شده و N- دوپه شده سیلیکونی است. به شرطی که هیچ ناهنجاری فیزکی دیگری مشاهده نشود. این مقاله استفاده از ابزارهای تحلیل خطا برای شناسایی دقیق و به تصویر کشیدن خطاهای کریستالی در سیلیکون، که به علت خطاهای الکتریکی ایجاد می¬شوند را توضیح میدهد.

تعداد صفحات انگلیسی تعداد صفحات انگلیسی:4 صفحه
تعداد صفحات فارسی تعداد صفحات فـارسـی:9 صفحه

  • آدرس: تبریز، آبرسان، مهرگان چهارم
  • تلفن  تماس: 09016347107
  • تلفن  ثابت : 35250068-041
  •  Mailttcenterاین آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید : آدرس  ایمیل
  • @zoodyab :آدرس تلگرام
مرکز  تخصصی  تلاش ترجمه از  سال  1385 شروع به کار نموده است  و تا کنون بیش از ده هزار ترجمه در رشته ها و زمینه های مختلف توسط متخصصین این مرکز انجام  شده  است.

تمامی ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تخصصی تلاش ترجمه، به صورت دستی (غیرماشینی) بوده و توسط مترجمین با سابقه انجام می‌شوند. ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تلاش ترجمه در قالب فایل Word و به صورت کاملا روان و بازخوانی شده و با ضمانت بازگشت وجه 72 ساعته (در صورت عدم رضایت از ترجمه) خدمت مشتریان محترم ارائه می‌شود.