دانلود فایل با شمار فاکتور
لطفا شماره فاکتور خود را درج نمایید
جدیدترین لغات واژه‌نامه
کشورهای شمال اروپا
آتش سوزی های جنگلی
دوسویه
نادیده گرفتن، دست انداخ
اجتناب ناپذیر، بی شفقت،
آمار بازدیدکنندگان
بازدید امروز :15
بازدید روز گذشته :106
بازدید این هفته :362
بازدید این ماه :1499
مجموع آمار بازدید ها :785473
بازدید روز گذشته :106
بازدید این هفته :362
بازدید این ماه :1499
مجموع آمار بازدید ها :785473
عنوان محصول: پژوهشی در زمینه تکنولوژی فرایند SiGe/Si HBT
|
توضیحات مختصر:
SiGe/Si HBT یک دستگاه مبتنی بر Si جدیدی است که در مقایسه با BJT، SiGe/Si HBT دارای چندین مزیت شامل بهره ی جریان بالا، مشخصه ی فرکانس عالی و نویز کمتر است و مهندسی باند انرژی و مهندسی دوپینگ (ناخالص سازی) معرفی شده، آزادی های طراحی به همراه دارند. جریان فرایند مبنای تولید SiGe/Si HBT شرح داده می شود،...
|
| پژوهشی در زمینه تکنولوژی فرایند SiGe/Si HBT |
قیمت : 27000 تومان
تخفیف: 2000 تومان
تخفیف ویژه : 10 درصد
قیمت نهایی: 22300 تومان
660 بازدید
کد مقاله: TTC-
3158
نوع فایل : docx
خرید و دانلود
لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از خرید موفق فعال خواهد شد.
Abstract
SiGe/Si HBT is a novel Si based device, compared with traditional BJT, SiGe/Si HBT has some advantages including high current gain, excellent frequency property and lower noise, energy band engineering and doping engineering introduced bring design freedoms. The fabricating basic process flow of SiGe/Si HBT is described, SiGe material epitaxial process, emitter mesa etching process, N type doping poly silicon and metal silicide fabricating process are studied, and the critical process control method are explored in the paper. The SiGe/Si NPN HBT of maximum current gain β=80 is fabricated by this process flow.
چکیده
SiGe/Si HBT یک دستگاه مبتنی بر Si جدیدی است که در مقایسه با BJT، SiGe/Si HBT دارای چندین مزیت شامل بهره ی جریان بالا، مشخصه ی فرکانس عالی و نویز کمتر است و مهندسی باند انرژی و مهندسی دوپینگ (ناخالص سازی) معرفی شده، آزادی های طراحی به همراه دارند. جریان فرایند مبنای تولید SiGe/Si HBT شرح داده می شود، فرایند همبافت ماده ی SiGe، فرایند قلم زنی (اچ) تپه ای امیتر، فرایند تولید پلی سیلیکون دوپینگ نوع N و سیلیسید (ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون) فلزی مورد مطالعه قرار می گیرند و روش کنترل فرایند بحرانی در این مقاله شرح داده می شود. SiGe/Si NPN HBT ماکزیمم بهره ی جریان β=80 is توسط این جریان فرایند تولید می شود.
تعداد صفحات انگلیسی:
تعداد صفحات فـارسـی:
- آدرس: تبریز، آبرسان، مهرگان چهارم
- تلفن تماس: 09016347107
- تلفن ثابت : 35250068-041
- Mailttcenterاین آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید : آدرس ایمیل
- @zoodyab :آدرس تلگرام
مرکز تخصصی تلاش ترجمه از سال 1385 شروع به کار نموده است و تا کنون بیش از ده هزار ترجمه در رشته ها و زمینه های مختلف توسط متخصصین این مرکز انجام شده است.
تمامی ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تخصصی تلاش ترجمه، به صورت دستی (غیرماشینی) بوده و توسط مترجمین با سابقه انجام می‌شوند. ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تلاش ترجمه در قالب فایل Word و به صورت کاملا روان و بازخوانی شده و با ضمانت بازگشت وجه 72 ساعته (در صورت عدم رضایت از ترجمه) خدمت مشتریان محترم ارائه می‌شود.